STP2NK100Z

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STP2NK100Z概述

STMICROELECTRONICS  STP2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP2NK100Z 系列 N沟道 1 kV 8.5 Ohm SuperMESH 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


STP2NK100Z中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 499pF @25VVds

额定功率Max 70 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP2NK100Z
型号: STP2NK100Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP2NK100Z
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