












STMICROELECTRONICS STP2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP2NK100Z 系列 N沟道 1 kV 8.5 Ohm SuperMESH 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Online Components:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 2A
输入电容Ciss 499pF @25VVds
额定功率Max 70 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP2NK100Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STU2NK100Z 意法半导体 | 完全替代 | STP2NK100Z和STU2NK100Z的区别 |
IRFBG20PBF 威世 | 功能相似 | STP2NK100Z和IRFBG20PBF的区别 |