STF15N65M5

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STF15N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STF15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP


立创商城:
STF15N65M5


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 11A 340mOhm TO220FP **


力源芯城:
650V,11A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP


STF15N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.308 Ω

极性 N-CH

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 816pF @100VVds

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STF15N65M5
型号: STF15N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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ST Microelectronics 意法半导体

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