N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STF15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
立创商城:
STF15N65M5
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
儒卓力:
**N-CH 650V 11A 340mOhm TO220FP **
力源芯城:
650V,11A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.308 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 816pF @100VVds
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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