STP11NK40Z

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STP11NK40Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP11NK40Z, 9 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 9A TO-220


STP11NK40Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 9.00 A

额定功率 110 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.55 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 930pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP11NK40Z引脚图与封装图
STP11NK40Z引脚图
STP11NK40Z封装图
STP11NK40Z封装焊盘图
在线购买STP11NK40Z
型号: STP11NK40Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP11NK40Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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