STE40NC60

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STE40NC60概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STE40NC60, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 ISOTOP封装


立创商城:
N沟道 600V 40A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP


艾睿:
This STE40NC60 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 460000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin ISOTOP Tube


富昌:
N-Channel 600 V 0.13 Ohm PowerMesh II MosFet - ISOTOP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin ISOTOP Tube


TME:
Module; single transistor; Uds:600V; Id:23A; ISOTOP; 460W; screw


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin ISOTOP Tube


STE40NC60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 40.0 A

额定功率 460 W

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 460 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 11100pF @25VVds

额定功率Max 460 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 ISOTOP

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.5 mm

高度 9.1 mm

封装 ISOTOP

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STE40NC60
型号: STE40NC60
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STE40NC60
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