


N沟道650 V, 0.095 I© , 24 A, MDmeshâ ?? ¢在D²PAK , I²PAK V功率MOSFET , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
N-Channel 650V 24A Tc 150W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
贸泽:
MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
通道数 1
漏源极电阻 119 mΩ
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3320pF @100VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STI32N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP34N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STI32N65M5和STP34N65M5的区别 |
STP32N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STI32N65M5和STP32N65M5的区别 |