STP10NK70ZFP

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STP10NK70ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP10NK70ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 700 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP


立创商城:
N沟道 700V 8.6A


贸泽:
MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 700 V, 0.75 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP10NK70ZFP  Power MOSFET, N Channel, 8.6 A, 700 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 650V 8,6A 850mOhm TO220FP **


Win Source:
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FP


STP10NK70ZFP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.75 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: STP10NK70ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP10NK70ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 700 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
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