500V,22A,N沟道MOSFET
N-Channel 500V 22A Tc 190W Tc Through Hole TO-247
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N沟道 500V 22A
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MOSFET N CH 500V 22A TO-247
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晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
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**N-CH 500V 22A 130mOHM TO247-3 **
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DeviceMart:
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
耗散功率 190 W
阈值电压 3 V
输入电容 1973 pF
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1973pF @50VVds
下降时间 23.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STW32NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPW50R140CP 英飞凌 | 功能相似 | STW32NM50N和IPW50R140CP的区别 |