STMICROELECTRONICS STP6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 1.2kV 6A
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6N120K3, 6 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP6N 系列 N-沟道 1200 V 1.95 Ohm 6 A 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 3.8A; 150W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
儒卓力:
**N-CH 1.2kV 6A 2.4Ohm TO220-3 **
力源芯城:
1200V,1.95Ω,6A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 1.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
连续漏极电流Ids 6A
输入电容Ciss 1050pF @100VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 14.9 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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