STP6N120K3

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STP6N120K3概述

STMICROELECTRONICS  STP6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 1.2kV 6A


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6N120K3, 6 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP6N 系列 N-沟道 1200 V 1.95 Ohm 6 A 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 3.8A; 150W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


儒卓力:
**N-CH 1.2kV 6A 2.4Ohm TO220-3 **


力源芯城:
1200V,1.95Ω,6A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220


STP6N120K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1.2 kV

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 1050pF @100VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 14.9 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP6N120K3引脚图与封装图
STP6N120K3引脚图
STP6N120K3封装图
STP6N120K3封装焊盘图
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型号: STP6N120K3
描述:STMICROELECTRONICS  STP6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP6N120K3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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