STF80N10F7

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STF80N10F7概述

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF80N10F7, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.0085 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STF80N10F7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 30000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes stripfet vii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP


STF80N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 270 mΩ

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

输入电容 3100 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3100pF @50VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STF80N10F7
型号: STF80N10F7
描述:N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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