STB18N65M5

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK

欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.198 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STB18N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
N-Channel 650 V 0.22 Ohm Surface Mount MDmesh™ V Power Mosfet - D2PAK-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

儒卓力:
**N-CH 650V 198mOhm 15A TO263-3 **

力源芯城:
650V,15A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK