N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 30V 70A 10mOhm TO263-3 **
Win Source:
N-CHANNEL 30V - 0.0075 ohm - 70A D2PAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
额定电压DC 30.0 V
额定电流 70.0 A
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99