STMICROELECTRONICS STW5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW5NK100Z, 3.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW5NK100Z Power MOSFET, N Channel, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 1kV 4A 4000mOhm TO247-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 3.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 3.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 7.7 ns
输入电容Ciss 1154pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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