STMICROELECTRONICS STW11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
立创商城:
N沟道 800V 11A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
STW11NM80 系列 N 沟道 800 V 0.4 Ohm MDmesh 功率 Mosfet - TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**MOSFET 800V 400mOhm 11A TO247 **
力源芯城:
800V,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1630pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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