STD60N55F3

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STD60N55F3概述

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 55V 60A 9mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


STD60N55F3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

输入电容 2200 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD60N55F3引脚图与封装图
STD60N55F3引脚图
STD60N55F3封装图
STD60N55F3封装焊盘图
在线购买STD60N55F3
型号: STD60N55F3
描述:N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD60N55F3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD60N55F3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

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