STMICROELECTRONICS STP4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 30 V, 4 V
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 1.5kV 4A
贸泽:
MOSFET PowerMESH MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP4N150 MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 30 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 1.5kV 4A 7Ohm TO220-3 **
力源芯城:
1500V,5Ω,4A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
额定电压DC 1.50 kV
额定电流 4.00 A
额定功率 160 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.30 nF
栅电荷 50.0 nC
漏源极电压Vds 1.5 kV
漏源击穿电压 1500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP4N150 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK3748 安森美 | 功能相似 | STP4N150和2SK3748的区别 |