















STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
立创商城:
N沟道 500V 12A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
儒卓力:
**N-CH 500V 12A 320mOhm TO220-3 **
力源芯城:
500V,0.28Ω,12A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
通道数 1
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 816pF @50VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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