N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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N沟道 650V 30A
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### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
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晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V
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Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STF38N65M5 系列 N 沟道 710 V 0.095 Ohm MDmesh V 功率 Mosfet - TO-220FP
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Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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650V,30A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP / N-Channel 650 V 30A Tc 35W Tc Through Hole TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.073 Ω
耗散功率 35 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3000pF @100VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STF38N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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