STW33N60M2

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STW33N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A TO247


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 600V 26A


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin TO-247 Tube


富昌:
Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 190W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**N-CH 600V 26A 125mOhm TO-247 **


力源芯城:
600V,0.108Ohm,26A,N沟道功率MOSFET


STW33N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.108 Ω

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 3 V

输入电容 1781 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 1781pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STW33N60M2
型号: STW33N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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