STMICROELECTRONICS STW6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW6N120K3, 6 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 6 A, 1.95 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-Channel 1200 V 2.4 Ω Flange Mount SuperMESH3™ Power Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 6A; 150W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
儒卓力:
**MOSFET 900V 2,4Ohm 6A TO247 **
力源芯城:
1200V,6A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
DeviceMart:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 1.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 6A
输入电容Ciss 1050pF @100VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STW6N120K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STW20N95K5 意法半导体 | 类似代替 | STW6N120K3和STW20N95K5的区别 |
STW19NM50N 意法半导体 | 类似代替 | STW6N120K3和STW19NM50N的区别 |
STW13N95K3 意法半导体 | 类似代替 | STW6N120K3和STW13N95K3的区别 |