

















STMICROELECTRONICS STD13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
立创商城:
N沟道 600V 11A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R - Arrow.com
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD13NM60 系列 600 V 0.36 Ohm N-沟道 MDmesh™ II 功率 MosFet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**MOSFET 600V 360mOhm 11A TO252 **
力源芯城:
600V,11A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 790pF @50VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD13NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD13NM60ND 意法半导体 | 类似代替 | STD13NM60N和STD13NM60ND的区别 |