STD13NM60N

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STD13NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STD13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


立创商城:
N沟道 600V 11A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R - Arrow.com


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD13NM60 系列 600 V 0.36 Ohm N-沟道 MDmesh™ II 功率 MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**MOSFET 600V 360mOhm 11A TO252 **


力源芯城:
600V,11A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


STD13NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD13NM60N
型号: STD13NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STD13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
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