STI10N62K3

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STI10N62K3概述

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


力源芯城:
620V,0.68Ω,8.4A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK / N-Channel 620 V 8.4A Tc 125W Tc Through Hole I2PAK


STI10N62K3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STI10N62K3
描述:N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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