STD16NF06T4

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STD16NF06T4概述

STMICROELECTRONICS  STD16NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD16NF06T4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 60V 16A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 16 A, 0.06 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STD16NF06T4 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 40000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
60V 16A 0.06Ohm N沟道 DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 40W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK


STD16NF06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 16.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 400pF @15VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 电源管理, Automotive, Audio, 音频, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD16NF06T4
型号: STD16NF06T4
描述:STMICROELECTRONICS  STD16NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2 V
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