STW28NM50N

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STW28NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3


立创商城:
N沟道 500V 21A


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.135Ω,21A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247


STW28NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1735pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STW28NM50N引脚图与封装图
STW28NM50N封装焊盘图
在线购买STW28NM50N
型号: STW28NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STW28NM50N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW28NM50N

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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