STD6N80K5

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STD6N80K5概述

800V,1.6Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 800V 4.5A Tc 85W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK


立创商城:
N沟道 800V 4.5A


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
This STD6N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes supermesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
N 沟道 800 V 1.6 mΩ 110 W 表面贴装 SuperMESH™ 5 功率 MOSFET - DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 800V 4,5A 1300mOhm TO252 **


力源芯城:
800V,1.6Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET


STD6N80K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 4.5A

输入电容Ciss 255pF @100VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD6N80K5
型号: STD6N80K5
描述:800V,1.6Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET

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