STP140NF75

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STP140NF75概述

STMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB


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N沟道 75V 120A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-220, 通孔


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Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 75V 120A 8mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220


STP140NF75中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 120 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 5000 pF

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 120 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5000pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP140NF75引脚图与封装图
STP140NF75引脚图
STP140NF75封装图
STP140NF75封装焊盘图
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型号: STP140NF75
描述:STMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
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