STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP140NF75, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
立创商城:
N沟道 75V 120A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
儒卓力:
**N-CH 75V 120A 8mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
额定电压DC 75.0 V
额定电流 120 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 5000 pF
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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