STB100N6F7

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STB100N6F7概述

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 60V 100A


贸泽:
MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STB100N6F7 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet f7 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 100A 5,6mOhm TO263 **


STB100N6F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

输入电容 1980 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 55.5 ns

输入电容Ciss 1980pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB100N6F7引脚图与封装图
STB100N6F7引脚图
STB100N6F7封装图
STB100N6F7封装焊盘图
在线购买STB100N6F7
型号: STB100N6F7
描述:N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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