STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP24NF10, 26 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
立创商城:
N沟道 100V 26A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Jameco:
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 100 V 0.06 Ω 30 nC Flange Mount STripFET™ II Power MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 85W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 100V 26A 55mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
额定电压DC 100 V
额定电流 26.0 A
额定功率 85 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 85 W
阈值电压 3 V
输入电容 870 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 870pF @25VVds
额定功率Max 85 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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