STP24NF10

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STP24NF10概述

STMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP24NF10, 26 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB


立创商城:
N沟道 100V 26A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Jameco:
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 100 V 0.06 Ω 30 nC Flange Mount STripFET™ II Power MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 85W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 100V 26A 55mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220


STP24NF10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 26.0 A

额定功率 85 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 85 W

阈值电压 3 V

输入电容 870 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 870pF @25VVds

额定功率Max 85 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP24NF10引脚图与封装图
STP24NF10引脚图
STP24NF10封装图
STP24NF10封装焊盘图
在线购买STP24NF10
型号: STP24NF10
描述:STMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STP24NF10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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