STW12NK90Z

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STW12NK90Z概述

STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 900V 11A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW12NK90Z 系列 N 沟道 900 V 0.88 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-Ch 900V 11A 880mOhm TO247-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247


STW12NK90Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 11.0 A

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.72 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

额定功率Max 230 W

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW12NK90Z引脚图与封装图
STW12NK90Z引脚图
STW12NK90Z封装图
STW12NK90Z封装焊盘图
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型号: STW12NK90Z
描述:STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
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