STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 900V 11A
得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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STW12NK90Z 系列 N 沟道 900 V 0.88 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - TO-247-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW12NK90Z MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-Ch 900V 11A 880mOhm TO247-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
额定电压DC 900 V
额定电流 11.0 A
额定功率 230 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.72 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 3500pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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