STB60NF10-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB60NF10-1概述

N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D2PAK - I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET

N-Channel 100V 80A Tc 300W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

贸泽:
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

STB60NF10-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 4270pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB60NF10-1

型号： STB60NF10-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D2PAK - I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET

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