STD9NM60N

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STD9NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STD9NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


立创商城:
STD9NM60N


得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD9NM60N, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 745 mOhm Surface Mount MDmesh II Power MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD9NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600 V,0.63Ω,6.5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK


STD9NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.63 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 452pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 26.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD9NM60N
型号: STD9NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STD9NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD9NM60N
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