STMICROELECTRONICS STD9NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
立创商城:
STD9NM60N
得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD9NM60N, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 600 V 745 mOhm Surface Mount MDmesh II Power MosFet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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# STMICROELECTRONICS STD9NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600 V,0.63Ω,6.5A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.63 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 452pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 26.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD9NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP9NM60N 意法半导体 | 完全替代 | STD9NM60N和STP9NM60N的区别 |