STU85N3LH5

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STU85N3LH5概述

STMICROELECTRONICS  STU85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 30V


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 40 A, 0.0046 ohm, TO-251AA, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STU85N3LH5  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK


STU85N3LH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 10.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU85N3LH5
型号: STU85N3LH5
描述:STMICROELECTRONICS  STU85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
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