STMICROELECTRONICS STU85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-channel 30V
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 40 A, 0.0046 ohm, TO-251AA, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STU85N3LH5 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 10.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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