N沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET
Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 110 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 205 ns
输入电容Ciss 2060pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 6.2 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD100N3LF3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD100N03LT4 意法半导体 | 类似代替 | STD100N3LF3和STD100N03LT4的区别 |
NTD4806NT4G 安森美 | 功能相似 | STD100N3LF3和NTD4806NT4G的区别 |
STU150N3LLH6 意法半导体 | 功能相似 | STD100N3LF3和STU150N3LLH6的区别 |