






STMICROELECTRONICS STE70NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
底座安装 N 通道 600 V 70A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP®
得捷:
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
e络盟:
STMICROELECTRONICS STE70NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube
富昌:
N沟道 600 V 70 A 55 mOhm MDmesh™ 功率 Mosfet - ISOTOP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube
额定电压DC 600 V
额定电流 70.0 A
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 7300pF @25VVds
额定功率Max 600 W
下降时间 76 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 ISOTOP-4
宽度 25.5 mm
封装 ISOTOP-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STE70NM60 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IXKN75N60 IXYS Semiconductor | 功能相似 | STE70NM60和IXKN75N60的区别 |