STE70NM60

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STE70NM60概述

STMICROELECTRONICS  STE70NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V

底座安装 N 通道 600 V 70A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP®


得捷:
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STE70NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube


富昌:
N沟道 600 V 70 A 55 mOhm MDmesh™ 功率 Mosfet - ISOTOP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin ISOTOP Tube


STE70NM60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 70.0 A

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 600 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 7300pF @25VVds

额定功率Max 600 W

下降时间 76 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 ISOTOP-4

外形尺寸

宽度 25.5 mm

封装 ISOTOP-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STE70NM60
型号: STE70NM60
描述:STMICROELECTRONICS  STE70NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STE70NM60
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