STI270N4F3

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STI270N4F3概述

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


力源芯城:
40V,120A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK


STI270N4F3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 7400pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STI270N4F3
型号: STI270N4F3
描述:N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STI270N4F3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STI270N4F3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

BUK9E2R3-40E,127

恩智浦

功能相似

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BUK952R3-40E,127

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STB270N04

意法半导体

功能相似

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