N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N CH 650V 11A TO220
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
650V,11A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 650V 11A TO220
通道数 1
漏源极电阻 340 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 85 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 810pF @100VVds
额定功率Max 85 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP15N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHP12N60E-GE3 威世 | 功能相似 | STP15N65M5和SIHP12N60E-GE3的区别 |