STMICROELECTRONICS STP20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V
通孔 N 通道 600 V 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
立创商城:
N沟道 600V 20A
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 600 V 0.29 Ohm Flange Mount MDMesh Power MosFet - TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
额定电压DC 650 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 290 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP20NM60 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 类似代替 | STP20NM60和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 类似代替 | STP20NM60和STP60NF06的区别 |
STP5NK100Z 意法半导体 | 类似代替 | STP20NM60和STP5NK100Z的区别 |