STL12N60M2

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STL12N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STL12N60M2 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 52000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh m2 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 8-Pin PowerFLAT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 8-Pin Power Flat EP T/R


STL12N60M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.495 Ω

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 9.2 ns

输入电容Ciss 538pF @100VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-HV-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.35 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-5x6-HV-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STL12N60M2
型号: STL12N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。

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