STMICROELECTRONICS STW12NK95Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V
The is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
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- Extremely high dV/dt capability
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- 100% Avalanche tested
额定电压DC 950 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.69 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 3500 pF
栅电荷 113 nC
漏源极电压Vds 950 V
漏源击穿电压 950 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 3500pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW12NK95Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STW11NK90Z 意法半导体 | 类似代替 | STW12NK95Z和STW11NK90Z的区别 |
APT14M100B 美高森美 | 功能相似 | STW12NK95Z和APT14M100B的区别 |