N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB85NF55T4, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
55V,80A,N沟道MOSFET
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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