STMICROELECTRONICS STP9NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP9NK50Z, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
立创商城:
N沟道 500V 7.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 500V 7A 850mOhm TO220-3 **
力源芯城:
500V,7.2A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP
额定电压DC 500 V
额定电流 7.20 A
额定功率 110 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.72 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.20 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 910pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 照明, Power Management, Power Management, Lighting, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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