STB28NM50N

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STB28NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STB28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

是一款MDmesh™II N沟道功率MOSFET, 采用第二代MDmesh™技术。该器件具有竖直结构, 低导通电阻和栅极电荷。适用于要求苛刻的高效转换器应用。

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100%经过雪崩测试
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低输入电容和栅极电荷
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低栅极输入电阻

得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 500 V 20A 150 mOhm 140 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB28NM50N  MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 500V 21A 158mOhm TO263-3 **


力源芯城:
500V,21A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK


STB28NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1735pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB28NM50N
型号: STB28NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STB28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
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