STMICROELECTRONICS STB28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
是一款MDmesh™II N沟道功率MOSFET, 采用第二代MDmesh™技术。该器件具有竖直结构, 低导通电阻和栅极电荷。适用于要求苛刻的高效转换器应用。
得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 500 V 20A 150 mOhm 140 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB28NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 500V 21A 158mOhm TO263-3 **
力源芯城:
500V,21A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1735pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 52 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB28NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP28NM50N 意法半导体 | 完全替代 | STB28NM50N和STP28NM50N的区别 |