STH80N10F7-2

STH80N10F7-2图片1
STH80N10F7-2图片2
STH80N10F7-2图片3
STH80N10F7-2图片4
STH80N10F7-2图片5
STH80N10F7-2图片6
STH80N10F7-2图片7
STH80N10F7-2概述

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2


立创商城:
N沟道 100V 80A


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package


艾睿:
This STH80N10F7-2 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 110000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with stripfet vii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin H2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 80A 9,5mOhm H2PAK-2 **


STH80N10F7-2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3100pF @50VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.17 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STH80N10F7-2
型号: STH80N10F7-2
描述:N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台