STB140NF75T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB140NF75T4概述

STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

立创商城:
N沟道 75V 120A

欧时:
### N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

贸泽:
MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

儒卓力:
**N-CH 75V 120A 8mOhm TO263-3 **

DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

STB140NF75T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 120 A

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 120 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5000pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB140NF75T4引脚图与封装图

在线购买STB140NF75T4

型号： STB140NF75T4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK

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