STMICROELECTRONICS STP210N75F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP210N75F6, 120 A, Vds=75 V, 3引脚
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP210N75F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
75V,3mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
针脚数 3
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 11800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 71 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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