STP210N75F6

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STP210N75F6概述

STMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP210N75F6, 120 A, Vds=75 V, 3引脚


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
75V,3mΩ,120A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB


STP210N75F6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 11800pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 71 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP210N75F6
型号: STP210N75F6
描述:STMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V
替代型号STP210N75F6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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