


















STMICROELECTRONICS STF10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 10A
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
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Verical:
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Newark:
# STMICROELECTRONICS STF10NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,0.53Ω,10A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.53 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 540pF @50VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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