N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
通孔 N 通道 55 V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
力源芯城:
55V,120A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
极性 N-CH
耗散功率 330000 mW
输入电容 6800 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP185N55F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP180N55F3 意法半导体 | 类似代替 | STP185N55F3和STP180N55F3的区别 |
STB185N55F3 意法半导体 | 功能相似 | STP185N55F3和STB185N55F3的区别 |