STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK80Z-1, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
立创商城:
STD3NK80Z-1
得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
富昌:
STD3NK80Z 系列 N 沟道 800 V 2.5 A 4.5 Ohm SuperMESH™ 功率 Mosfet - IPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4500mOhm TO251-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
针脚数 3
漏源极电阻 3.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 1.25 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 485pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD3NK80Z-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD3NK80ZT4 意法半导体 | 完全替代 | STD3NK80Z-1和STD3NK80ZT4的区别 |
FQD2N80TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK80Z-1和FQD2N80TM的区别 |
FQD2N80TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK80Z-1和FQD2N80TF的区别 |