STD3NK80Z-1

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STD3NK80Z-1概述

STMICROELECTRONICS  STD3NK80Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK80Z-1, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


立创商城:
STD3NK80Z-1


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


富昌:
STD3NK80Z 系列 N 沟道 800 V 2.5 A 4.5 Ohm SuperMESH™ 功率 Mosfet - IPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD3NK80Z-1  Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4500mOhm TO251-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK


STD3NK80Z-1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 1.25 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 485pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD3NK80Z-1引脚图与封装图
STD3NK80Z-1引脚图
STD3NK80Z-1封装图
STD3NK80Z-1封装焊盘图
在线购买STD3NK80Z-1
型号: STD3NK80Z-1
描述:STMICROELECTRONICS  STD3NK80Z-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STD3NK80Z-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD3NK80Z-1

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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STD3NK80ZT4

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完全替代

STD3NK80Z-1和STD3NK80ZT4的区别

FQD2N80TM

飞兆/仙童

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