N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin H2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 250 W
输入电容 8115 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 8115pF @50VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 10.57 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free