





N沟道650 V, 0.125 I© , 22 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK , TO- 220FP , I²PAK , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
通孔 N 通道 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
极性 N-CH
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2880pF @100VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STF30N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF31N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STF30N65M5和STF31N65M5的区别 |
STFI31N65M5 意法半导体 | 功能相似 | STF30N65M5和STFI31N65M5的区别 |