STN3NF06L

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STN3NF06L概述

STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN3NF06L, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


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STN3NF06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

额定功率 3.3 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.3 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 340pF @25VVds

额定功率Max 3.3 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STN3NF06L引脚图与封装图
STN3NF06L引脚图
STN3NF06L封装图
STN3NF06L封装焊盘图
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型号: STN3NF06L
描述:STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
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