STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN3NF06L, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
立创商城:
N沟道 60V 4A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
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STMICROELECTRONICS STN3NF06L. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4A, SOT-223
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
STN3NF06L 系列 60 V 0.1 Ohm N-沟道 STripFET™ II 功率 MosFet - SOT-223
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STN3NF06L MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
额定功率 3.3 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 340pF @25VVds
额定功率Max 3.3 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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